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BSS84
功率场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
| 5+ | CNY2.550 (CNY2.8815) |
| 50+ | CNY2.050 (CNY2.3165) |
| 100+ | CNY1.540 (CNY1.7402) |
| 500+ | CNY1.150 (CNY1.2995) |
| 1500+ | CNY0.887 (CNY1.0023) |
| 3000+ | CNY0.843 (CNY0.9526) |
| 7500+ | CNY0.799 (CNY0.9029) |
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最低: 5
多件: 5
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品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSS84
库存编号1094997
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续130mA
漏源接通状态电阻10ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSS84是一款P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管, SOT-23封装。该器件设计具有非常低的导通电阻, 同时坚固耐用, 高可靠性快速开关性能, BSS84 适用于低电压, 低电流和开关应用。
- 电压控制P通道小信号开关
- 高密度设计, 低Rds(on)
- 高饱和电流能力
- 漏极至源极电压 (Vds): -50V
- 栅-源电压: ±20V
- Vgs 10V, 低通导电阻: 3.5ohm
- 连续漏极电流: -130mA
- 最大功耗 360mW
- 工作结温范围: -55°C至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
130mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
10ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033