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BSS84
功率场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSS84
库存编号2323155
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续130mA
漏源接通状态电阻10ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BSS84 is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process minimizes ON-state resistance and to provide rugged and reliable performance and fast switching. It can be used with a minimum of effort, in most applications requiring up to 0.13A DC and can deliver current up to 0.52A. This product is particularly suited to low-voltage applications requiring a low-current high-side switch.
- Voltage-controlled P-channel small-signal switch
- High-density cell design for low RDS (ON)
- High saturation current capability
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
130mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
10ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000034