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BUB323ZT4G
林顿晶体管, 达林顿, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 引脚
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产品信息
产品概述
The BUB323ZT4G is a NPN bipolar silicon power Darlington Transistor with a built-in active Zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as electronic ignition, switching regulators and motor control.
- Planar, monolithic
- Autoprotected
- Integrated high-voltage active clamp
- Tight clamping voltage window
- Clamping energy capability 100% tested in a live ignition circuit
- High DC current gain/low saturation voltages specified over full temperature range
- Design guarantees operation in SOA at all times
技术规格
晶体管极性
NPN
最大集电极发射电压
350V
功耗 Pd
150W
集电极直流电流
10A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
直流电流增益, hFE
500hFE
过渡频率
2MHz
直流电流增益, Hfe 最小值
500hFE
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极发射电压, Vceo
350V
连续集电极电流
10A
功率耗散
150W
射频晶体管封装
TO-263 (D2PAK)
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001911