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DTA114EET1G
晶体管 双极预偏置/数字, 单个PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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|---|---|
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| 100+ | CNY0.427 (CNY0.4825) |
| 500+ | CNY0.314 (CNY0.3548) |
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| 5000+ | CNY0.218 (CNY0.2463) |
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最低: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号DTA114EET1G
库存编号2535582
技术数据表
晶体管极性单个PNP
数字晶体管极性单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极发射电压, Vceo-50V
集电极连续电流-100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
晶体管封装类型SC-75
射频晶体管封装SC-75
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散300mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值35hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
单个PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极连续电流
-100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SC-75
引脚数
3引脚
功率耗散
300mW
直流电流增益, Hfe 最小值
35hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射电压, Vceo
-50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SC-75
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000032