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FCB20N60
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCB20N60
库存编号1095000
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻0.19ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散208W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FCB20N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 75nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 165pF)
- 100% avalanche tested
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
208W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.19ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001458