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FDB2532
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDB2532
库存编号1471029
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续33A
漏源接通状态电阻0.016ohm
晶体管封装类型TO-263AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散310W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
FDB2532 是一款PowerTrench® N沟道MOSFET, 适用于同步整流, 电池保护电路, 不间断电源, 微型太阳能逆变器等应用。
- 低米勒电荷
- 低Qrr二极管
- UIS性能 (单脉冲和重复性脉冲)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-263AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
310W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.016ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002087