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FDC5614P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC5614P
库存编号2323159
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.105ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDC5614P是一款-60V P沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能. 中压功率MOSFET经过优化, 结合了小栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供了快速开关. 它采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡. 通过利用该先进技术, 这些设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％. 新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路, 或者可以将电压尖峰降至最低. 该产品是通用型, 适用于许多不同的应用.
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.105ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
6引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000042