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FDC608PZ
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 50+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
| 100+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
| 500+ | CNY1.610 (CNY1.8193) |
| 1500+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC608PZ
库存编号1495225
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续5.8A
漏源接通状态电阻0.03ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC608PZ is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery power circuits and DC-to-DC conversion applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
5.8A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.03ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000046