打印页面
FDC6327C
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
8,439 有货
6,000 您现在可以预订货品了
8439 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.930 (CNY6.7009) |
| 50+ | CNY4.930 (CNY5.5709) |
| 100+ | CNY3.930 (CNY4.4409) |
| 500+ | CNY2.790 (CNY3.1527) |
| 1500+ | CNY2.740 (CNY3.0962) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY29.65 (CNY33.50 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6327C
库存编号9844856
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道2.7A
连续漏极电流 Id P沟道1.9A
漏源通态电阻N沟道0.08ohm
漏源导通电阻P沟道0.17ohm
晶体管封装类型SuperSOT
针脚数6引脚
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC6327C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and DC-to-DC converter applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
1.9A
漏源导通电阻P沟道
0.17ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
PowerTrench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
2.7A
漏源通态电阻N沟道
0.08ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
FDC6327C 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049