打印页面
FDD120AN15A0
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, 表面安装
1,720 有货
需要更多？
1720 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
| 500+ | CNY3.510 (CNY3.9663) |
| 1000+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 5
CNY448.00 (CNY506.24 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD120AN15A0
库存编号1467970RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续14A
漏源接通状态电阻0.12ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散65W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDD120AN15A0 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and micro solar inverter application.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
14A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000378