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FDD5614P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD5614P
库存编号9846131
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续15A
漏源接通状态电阻0.1ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散42W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (17-Jan-2022)
FDD5614P 的替代之选
找到 2 件产品
产品概述
The FDD5614P is a P-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process, fast switching speed, high performance trench technology for extremely low RDS (ON).
- High power and current handling capability
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
15A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
42W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (17-Jan-2022)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004