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FDG6304P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
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|---|---|
| 100+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
| 500+ | CNY1.940 (CNY2.1922) |
| 1500+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDG6304P
库存编号2453405RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续410mA
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道410mA
在电阻RDS（上）0.85ohm
连续漏极电流 Id P沟道410mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.85ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.85ohm
阈值栅源电压最大值820mV
晶体管封装类型SC-70
功耗 Pd300mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
410mA
连续漏极电流 Id N沟道
410mA
连续漏极电流 Id P沟道
410mA
漏源通态电阻N沟道
0.85ohm
漏源导通电阻P沟道
0.85ohm
晶体管封装类型
SC-70
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
在电阻RDS（上）
0.85ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
820mV
功耗 Pd
300mW
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000028