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FDMA1028NZ
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
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|---|---|
| 1+ | CNY7.420 (CNY8.3846) |
| 10+ | CNY4.660 (CNY5.2658) |
| 100+ | CNY3.020 (CNY3.4126) |
| 500+ | CNY2.330 (CNY2.6329) |
| 1000+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
| 5000+ | CNY1.940 (CNY2.1922) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMA1028NZ
库存编号1324789
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道3.7A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.068ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型µFET
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FDMA1028NZ 是一款双N沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于手机或其他便携式应用, 可用作电池充电开关解决方案。带有2个独立的N沟道MOSFET, 具有低导通状态电阻, 确保导通损耗非常低。如果连接公共电源, 允许双向电流。MicroFET采用薄型封装设计, 物理尺寸非常小, 同时具有出色的散热性能, 非常适合线性模式应用。
- 薄型
- 无卤素
- ±12V栅-源电压
- 3.7A连续漏电流
- 6A脉冲漏电流
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.7A
漏源通态电阻N沟道
0.068ohm
晶体管封装类型
µFET
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005