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FDMA291P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.050 | CNY20.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.050 (CNY4.5765) |
| 50+ | CNY3.410 (CNY3.8533) |
| 100+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
| 500+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
| 1500+ | CNY1.930 (CNY2.1809) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMA291P
库存编号
复卷1324794RL
切割卷带1324794
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续6.6A
漏源接通状态电阻0.042ohm
晶体管封装类型µFET
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压700mV
阈值栅源电压最大值700mV
功率耗散2.4W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDMA291P is a 1.8V specified single P-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low ON-state resistance. The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
- Halogen-free
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
6.6A
晶体管封装类型
µFET
Rds(on)测试电压
700mV
功率耗散
2.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.042ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005