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FDMB2308PZ
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm
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| 500+ | CNY8.600 (CNY9.718) |
| 3000+ | CNY8.080 (CNY9.1304) |
| 6000+ | CNY7.570 (CNY8.5541) |
| 9000+ | CNY7.050 (CNY7.9665) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMB2308PZ
库存编号3368883RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续7A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.027ohm
连续漏极电流 Id N沟道7A
连续漏极电流 Id P沟道7A
漏源通态电阻N沟道0.027ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.027ohm
晶体管封装类型MLP
阈值栅源电压最大值900mV
针脚数6引脚
功耗 Pd2.2W
耗散功率N沟道2.2W
耗散功率P沟道2.2W
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
7A
在电阻RDS（上）
0.027ohm
连续漏极电流 Id P沟道
7A
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
MLP
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
2.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
7A
漏源通态电阻N沟道
0.027ohm
漏源导通电阻P沟道
0.027ohm
阈值栅源电压最大值
900mV
功耗 Pd
2.2W
耗散功率P沟道
2.2W
产品范围
PowerTrench Series
汽车质量标准
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004