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FDMC2523P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY14.500 | CNY14.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.500 (CNY16.385) |
| 10+ | CNY9.950 (CNY11.2435) |
| 100+ | CNY7.320 (CNY8.2716) |
| 500+ | CNY7.180 (CNY8.1134) |
| 1000+ | CNY7.030 (CNY7.9439) |
| 5000+ | CNY6.890 (CNY7.7857) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC2523P
库存编号
复卷1324795RL
切割卷带1324795
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻1.5ohm
晶体管封装类型Power 33
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.8V
功率耗散42W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDMC2523P is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It is well suited for low voltage applications such as audio amplifier and high efficiency switching DC-to-DC converters.
- Fast switching
- Improved dV/dt capability
- 6.2nC typical low gate charge
- 10pF typical low Crss
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
Power 33
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
1.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049