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50+ | CNY20.990 (CNY23.7187) |
100+ | CNY15.770 (CNY17.8201) |
500+ | CNY12.960 (CNY14.6448) |
1500+ | CNY12.380 (CNY13.9894) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMQ8403
库存编号3003989
技术数据表
通道类型四N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.11ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型WDFN
针脚数12引脚
耗散功率N沟道17W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench GreenBridge Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDMQ8403 is a MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH®,Greenbridge™ series of high-efficiency bridge rectifier. This quad MOSFET solution provides ten−fold improvement in power dissipation over diode bridge. Application includes high efficiency bridge rectifiers.
- 85mohm typical static drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 3A)
- Substantial efficiency benefit in PD solutions
- Gate to source voltage is ±20V, 1nA maximum zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 80V)
- 2.8V typical drain to source breakdown voltage (VGS = VDS, ID = 250µA)
- 6S typical forward transconductance (VDS = 10V, ID = 3A)
- 4.1ns typical turn on delay time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 1.2ns typical rise time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 0.9nC typical gate to source charge (VDD = 50V, ID = 3A)
- 33ns typical reverse recovery time (IF = 3A, di/dt = 100 A/µs)
- WDFN12 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
四N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
PowerTrench GreenBridge Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.11ohm
晶体管封装类型
WDFN
耗散功率N沟道
17W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0005