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FDMS86201
功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, 表面安装
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| 100+ | CNY9.070 (CNY10.2491) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS86201
库存编号2083317
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds120V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻9600µohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDMS86201 is a N-channel MOSFET is produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Shielded gate MOSFET technology
- Advanced package and silicon combination for low RDS (ON) and high efficiency
- MSL1 Robust package design
- 100% UIL tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
120V
漏源接通状态电阻
9600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000132