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FDN304P
场效应管, MOSFET, P, SOT-23
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
| 50+ | CNY3.140 (CNY3.5482) |
| 100+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
| 500+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
| 1500+ | CNY1.680 (CNY1.8984) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN304P
库存编号9846298
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续2.4A
漏源接通状态电阻0.052ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDN304P is P channel 1.8V specified PowerTrench MOSFET in superSOT-3 package. This product features fast switching speed, high performance trench technology for extremely low Rds(on), thus suite for applications such as battery management, load switch and battery power management.
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±8V
- Low on state resistance of 65mohm at Vgs -1.8V
- Continuous drain current of -2.4A
- Maximum power dissipation of 500mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.4A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.052ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000091