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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.250 (CNY1.4125) |
| 500+ | CNY1.050 (CNY1.1865) |
| 1500+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 3000+ | CNY0.981 (CNY1.1085) |
| 7500+ | CNY0.927 (CNY1.0475) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 100
多件: 5
CNY125.00 (CNY141.25 含税)
品項附註
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产品概述
The FDN327N is a 20V specified N-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for power management and load switch applications.
- Fast switching speed
- 4.5nC typical low gate charge
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.07ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
FDN327N 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001