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FDN352AP
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, 表面安装
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|---|---|
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| 50+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
| 100+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 500+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 1500+ | CNY1.430 (CNY1.6159) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品概述
FDN352AP 是一款P沟道逻辑电平MOSFET, 采用 PowerTrench®工艺制造, 设计用于最大限度地降低导通电阻, 同时保持低栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。该器件适用于低电压和电池供电应用, 小外形表面安装封装, 低功率损耗。
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.3A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.18ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003175