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FDN360P
场效应管, MOSFET, P, SOT-23
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
| 500+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
| 1500+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 3000+ | CNY1.110 (CNY1.2543) |
| 7500+ | CNY1.060 (CNY1.1978) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN360P
库存编号9846336RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2A
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench® MOSFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.08ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
3引脚
产品范围
PowerTrench® MOSFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454