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FDS3992
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
| 100+ | CNY7.070 (CNY7.9891) |
| 500+ | CNY5.290 (CNY5.9777) |
| 1000+ | CNY5.100 (CNY5.763) |
| 5000+ | CNY5.000 (CNY5.650) |
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最低: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS3992
库存编号9845216
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.054ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDS3992 is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed for applications like DC-to-DC converters and off-line UPS, distributed power architectures and VRMs, primary switch for 24V and 48V systems, high voltage synchronous rectifier, direct injection/diesel injection systems and electronic valve train systems.
- Low miller charge
- Low QRR body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.054ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00022