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FDS4559
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS4559
库存编号1471052RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续4.5A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
在电阻RDS（上）0.055ohm
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.055ohm
漏源导通电阻P沟道0.055ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS4559 is a complementary MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for LCD backlight inverter.
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
4.5A
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.055ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.055ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.055ohm
阈值栅源电压最大值
2.2V
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
175°C
合规
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000209