打印页面
FDS6890A
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,589 有货
需要更多？
2589 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.650 (CNY12.0345) |
| 10+ | CNY7.940 (CNY8.9722) |
| 100+ | CNY6.240 (CNY7.0512) |
| 500+ | CNY6.080 (CNY6.8704) |
| 2500+ | CNY5.930 (CNY6.7009) |
| 5000+ | CNY5.780 (CNY6.5314) |
| 7500+ | CNY5.610 (CNY6.3393) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY10.65 (CNY12.03 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6890A
库存编号9844732
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道7.5A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.013ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
FDS6890A 是一款双N沟道MOSFET, 采用PowerTrench™工艺。该器件最大程度地降低导通状态电阻, 并保持低栅极电荷, 以及出色的开关性能。
- 快速开关速度
- 低门电荷
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
- ±8V栅-源电压
- 7.5A连续漏电流
- 20A脉冲漏电流
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
Compute Module 3+ Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
7.5A
漏源通态电阻N沟道
0.013ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000224