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FDS8984
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS8984
库存编号2464131RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续7A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.019ohm
连续漏极电流 Id N沟道7A
连续漏极电流 Id P沟道7A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
漏源导通电阻P沟道0.019ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd1.6W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道1.6W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS8984 is a dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- Low gate charge
- ±20V Gate to source voltage
- 7A Continuous drain current
- 30A Pulsed drain current
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
7A
在电阻RDS（上）
0.019ohm
连续漏极电流 Id P沟道
7A
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.6W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
7A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.019ohm
阈值栅源电压最大值
1.7V
功耗 Pd
1.6W
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000259