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FDT86113LZ
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDT86113LZ
库存编号2083343
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续3.3A
漏源接通状态电阻0.1ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散2.2W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDT86113LZ is a N-channel Logic Level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been special tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
- <gt/>3KV typical HBM ESD protection level
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.3A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363