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| 10+ | CNY28.480 (CNY32.1824) |
| 100+ | CNY24.600 (CNY27.798) |
| 500+ | CNY24.180 (CNY27.3234) |
| 1000+ | CNY23.760 (CNY26.8488) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FFSD08120A
库存编号2895645
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
产品范围EliteSiC Series
二极管配置单
反向重复峰值电压1.2kV
平均正向电流8A
总电容充电55nC
二极管封装类型TO-252 (DPAK)
引脚数3引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装表面安装
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
碳化硅 (SiC)肖特基二极管采用一种全新的技术, 与硅相比, 这种技术提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流, 开关特性与温度无关, 以及出色的温度性能, 碳化硅是优秀的半导体。系统优势包括高效率, 快工作频率, 高功率密度, 低EMI, 以及缩小系统尺寸, 降低成本。
- 最高结温: 175°C
- 符合AEC-Q101
- 雪崩额定200 mJ
- 无反向恢复/无正向恢复
- 易于并联
- 高浪涌电流性能
- 正温度系数
技术规格
产品范围
EliteSiC Series
反向重复峰值电压
1.2kV
总电容充电
55nC
引脚数
3引脚
二极管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
二极管配置
单
平均正向电流
8A
二极管封装类型
TO-252 (DPAK)
工作温度最高值
175°C
合规
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001