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FGB20N60SFD-F085
IGBT, 40 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY16.090 (CNY18.1817) |
| 500+ | CNY16.020 (CNY18.1026) |
| 800+ | CNY15.470 (CNY17.4811) |
| 1600+ | CNY14.920 (CNY16.8596) |
| 2400+ | CNY14.370 (CNY16.2381) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FGB20N60SFD-F085
库存编号3368678RL
技术数据表
连续集电极电流40A
集电极-发射极饱和电压2.2V
功率耗散208W
最大集电极发射电压600V
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装表面安装
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
连续集电极电流
40A
功率耗散
208W
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
集电极-发射极饱和电压
2.2V
最大集电极发射电压
600V
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004