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| 10+ | CNY9.520 (CNY10.7576) |
| 50+ | CNY7.980 (CNY9.0174) |
| 100+ | CNY6.440 (CNY7.2772) |
| 250+ | CNY6.320 (CNY7.1416) |
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产品概述
The FJB102TM is a NPN high voltage power Darlington Transistor offers low collector-emitter saturation voltage.
- High DC current gain (1000 hFE @ 4V VCE, 3A minimum IC)
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
80W
射频晶体管封装
TO-263AB
直流电流增益, hFE
200hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
8A
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001312