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FJP13009H2TU
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY9.780 (CNY11.0514) |
| 100+ | CNY8.530 (CNY9.6389) |
| 500+ | CNY8.120 (CNY9.1756) |
| 1000+ | CNY7.710 (CNY8.7123) |
| 5000+ | CNY7.300 (CNY8.249) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FJP13009H2TU
库存编号1700664
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压400V
连续集电极电流12A
功率耗散100W
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
针脚数3引脚
过渡频率4MHz
直流电流增益hFE最小值8hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FJP13009H2TU is a high voltage fast-switching NPN epitaxial planar Power Transistor. The FJP13009H2TU is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. Designed for high speed switching applications and offers excellent power dissipation.
- High voltage capability
- High switching speed
- 700V Collector-base voltage
- 9V Emitter-base voltage
- 6A Base current
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
12A
晶体管封装类型
TO-220
针脚数
3引脚
直流电流增益hFE最小值
8hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
100W
晶体管安装
通孔
过渡频率
4MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00204