打印页面
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
| 10+ | CNY1.640 (CNY1.8532) |
| 100+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 500+ | CNY0.960 (CNY1.0848) |
| 1000+ | CNY0.907 (CNY1.0249) |
包装规格:每个
最低: 5
多件: 5
CNY13.40 (CNY15.14 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual inline package.
技术规格
通道数
1通道
针脚数
4引脚
隔离电压
5kV
集电极发射电压, Vceo
70V
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
光电耦合器封装类型
DIP
正向电流 If 最大值
50mA
电流转换率 最小
80%
产品范围
FOD817
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001966

