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FQP19N20C
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, 通孔
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|---|---|
| 1+ | CNY10.080 (CNY11.3904) |
| 10+ | CNY8.140 (CNY9.1982) |
| 100+ | CNY6.660 (CNY7.5258) |
| 500+ | CNY5.550 (CNY6.2715) |
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| 5000+ | CNY5.010 (CNY5.6613) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQP19N20C
库存编号2453438
产品范围QFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续19A
漏源接通状态电阻0.17ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散139W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围QFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FQP19N20C is a 200V N-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (typical 40.5nC)
- Low Crss (typical 85pF)
- 100% avalanche tested
- ±30V gate to source voltage
- 62.5°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.9°C/W thermal resistance, junction to case
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
19A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
139W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.17ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
QFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002815