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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号LM224DR2G.
库存编号1155777
技术数据表
通道数4放大器
增益带宽积1MHz
典型压摆率0.6V/µs
电源电压范围3V to 32V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数14引脚
放大器类型Low Bias Current
轨至轨-
输入偏移电压2mV
芯片安装Surface Mount
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
放大器封装类型SOIC
汽车质量标准-
带宽1MHz
放大器个数4 Amplifier
摆率0.6V/µs
LM224DR2G. 的替代之选
找到 7 件产品
技术规格
通道数
4放大器
典型压摆率
0.6V/µs
IC 外壳 / 封装
SOIC
放大器类型
Low Bias Current
输入偏移电压
2mV
工作温度最小值
-25°C
产品范围
Compute Module 3+ Series
MSL
-
放大器封装类型
SOIC
带宽
1MHz
摆率
0.6V/µs
增益带宽积
1MHz
电源电压范围
3V to 32V
针脚数
14引脚
轨至轨
-
芯片安装
Surface Mount
工作温度最高值
85°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
汽车质量标准
-
放大器个数
4 Amplifier
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000276