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MJ11016G
晶体管,达林顿 TO-3
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| 10+ | CNY40.040 (CNY45.2452) |
| 100+ | CNY32.420 (CNY36.6346) |
| 500+ | CNY28.840 (CNY32.5892) |
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产品概述
The MJ11016G is a 120V Silicon NPN Bipolar Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-base voltage (Vcbo = 120V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
200W
射频晶体管封装
TO-3
直流电流增益, hFE
200hFE
工作温度最高值
200°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
120V
集电极直流电流
30A
针脚数
2引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.011793