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产品概述
The MJ11033G is a PNP Complementary Silicon Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Diode protection to rated IC
技术规格
晶体管极性
PNP
功耗 Pd
300W
射频晶体管封装
TO-3
直流电流增益, hFE
18000hFE
工作温度最高值
200°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
120V
集电极直流电流
50A
针脚数
2引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.014061