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MJD112T4G
林顿晶体管, NPN, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY7.490 (CNY8.4637) |
| 500+ | CNY6.200 (CNY7.006) |
| 1000+ | CNY5.090 (CNY5.7517) |
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最低: 100
多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJD112T4G
库存编号2533156RL
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流2A
功率耗散20W
晶体管封装类型TO-252AA
针脚数3引脚
晶体管安装表面安装
过渡频率25MHz
直流电流增益, Hfe 最小值200hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The MJD112T4G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
TO-252AA
晶体管安装
表面安装
直流电流增益, Hfe 最小值
200hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
20W
针脚数
3引脚
过渡频率
25MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426