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MJD122T4G
晶体管, NPN, 100V, 8A, TO-252-3
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产品概述
The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
最大集电极发射电压
100V
连续集电极电流
8A
集电极直流电流
8A
射频晶体管封装
TO-252 (DPAK)
直流电流增益, hFE
1000hFE
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
集电极发射电压, Vceo
100V
功耗 Pd
20W
功率耗散
20W
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
过渡频率
4MHz
直流电流增益, Hfe 最小值
1000hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
MJD122T4G 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00033