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MJD243T4G
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.540 (CNY5.1302) |
| 50+ | CNY3.850 (CNY4.3505) |
| 100+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
| 500+ | CNY2.550 (CNY2.8815) |
| 1000+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
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最低: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJD243T4G
库存编号2533324
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流4A
功率耗散12.5W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率40MHz
直流电流增益, Hfe 最小值15hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The MJD243T4G is a 4A NPN bipolar Power Transistor designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications.
- High current-gain - bandwidth product (fT = 40MHz minimum @ IC = 100mA DC)
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
4A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
15hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
12.5W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
40MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001101