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| 100+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
| 500+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 1000+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJD42CT4G
库存编号2101378
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流6A
功率耗散20W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率3MHz
直流电流增益, Hfe 最小值30hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The MJD42CT4G is a 6A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
- Complementary device
- Electrically similar to popular TIP41 and TIP42 series
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
6A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
20W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
3MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
MJD42CT4G 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0003