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MJD45H11T4G
单晶体管 双极, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJD45H11T4G
库存编号2317580
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压80V
连续集电极电流8A
功率耗散20W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率90MHz
直流电流增益, Hfe 最小值40hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The MJD45H11T4G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Electrically similar to popular D44H/D45H series
- Fast switching speeds
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
8A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
20W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
90MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
MJD45H11T4G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00068