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MJD6039T4G
林顿晶体管, 达林顿, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY4.520 (CNY5.1076) |
| 500+ | CNY4.340 (CNY4.9042) |
| 2500+ | CNY4.160 (CNY4.7008) |
| 7500+ | CNY3.970 (CNY4.4861) |
| 20000+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
| 37500+ | CNY3.600 (CNY4.068) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJD6039T4G
库存编号2774792RL
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo80V
最大集电极发射电压80V
连续集电极电流4A
功耗 Pd20W
集电极直流电流4A
功率耗散20W
射频晶体管封装TO-252 (DPAK)
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE2500hFE
晶体管安装表面安装
过渡频率-
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值1000hFE
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
NPN
最大集电极发射电压
80V
功耗 Pd
20W
功率耗散
20W
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
直流电流增益, hFE
2500hFE
过渡频率
-
直流电流增益, Hfe 最小值
1000hFE
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
集电极发射电压, Vceo
80V
连续集电极电流
4A
集电极直流电流
4A
射频晶体管封装
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426