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MJE5852G
单晶体管 双极, PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, 通孔
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产品概述
The MJE5852G is a -400V PNP silicon Bipolar Power Transistor designed for high voltage, high speed and power switching in inductive circuits where fall time is critical. This switch-mode series transistor is particularly suited for line operated switch-mode applications.
- Fast turn-off times
- Complementary to the MJE13007 series
- 6V Emitter to base voltage (VEBO)
- 16ADC Peak collector current
- 4ADC Base current (IB)
- 1.25°C/W Thermal resistance, junction to case
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
8A
晶体管封装类型
TO-220AB
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
15hFE
产品范围
MJxxxx
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
80W
晶体管安装
通孔
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814