打印页面
MMBF170LT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, 表面安装
20,276 有货
需要更多？
60 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
16730 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
3486 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
| 50+ | CNY0.886 (CNY1.0012) |
| 100+ | CNY0.532 (CNY0.6012) |
| 500+ | CNY0.465 (CNY0.5254) |
| 1500+ | CNY0.456 (CNY0.5153) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY6.20 (CNY7.01 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The MMBF170LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 60VDC and drain current at 500mA.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
500mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
MMBF170LT1G 的替代之选
找到 6 件产品
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008