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MMBT2222LT1G. 的替代之选
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产品概述
The MMBT2222LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
600mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
合规
-
最大集电极发射电压
30V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
直流电流增益, Hfe 最小值
250hFE
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.08