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MMBT2222LT1G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
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| 9000+ | CNY0.173 (CNY0.1955) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT2222LT1G
库存编号2317832
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压30V
连续集电极电流600mA
功率耗散225mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率250MHz
直流电流增益, Hfe 最小值35hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The MMBT2222LT1G is a 30V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
- Halogen-free/BFR-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 60VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 5VDC Emitter to base voltage (VEBO)
- 1100mA DC Peak collector current
- 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
600mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
35hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
30V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
250MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000031