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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.912 | CNY4.56 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.912 (CNY1.0306) |
| 50+ | CNY0.569 (CNY0.643) |
| 250+ | CNY0.413 (CNY0.4667) |
| 1000+ | CNY0.263 (CNY0.2972) |
| 13500+ | CNY0.258 (CNY0.2915) |
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产品概述
The MMBT5089LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
50mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
50hFE
产品范围
MMBTxxxx
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
25V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
50MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000363
