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MMPQ3906
双极晶体管阵列, 四极PNP, 40 V, 200 mA
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMPQ3906
库存编号2454041RL
技术数据表
晶体管极性四极PNP
集电极发射电压, Vceo-40V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极直流电流-200mA
集电极发射极电压最大值 PNP40V
功耗 Pd1W
连续集电极电流NPN-
直流电流增益, hFE30hFE
连续集电极电流NPN200mA
耗散功率NPN-
耗散功率PNP1W
直流电流增益hFE最小值NPN-
直流电流增益hFE最小值PNP30hFE
晶体管封装类型SOIC
针脚数16引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN-
转换频率NPN200MHz
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MMPQ3906 是一款PNP双极晶体管阵列, 设计用于通用放大器和开关应用, 10μA集电极电流。
- -55至150°C 工作结温范围
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
四极PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
40V
连续集电极电流NPN
-
连续集电极电流NPN
200mA
耗散功率PNP
1W
直流电流增益hFE最小值PNP
30hFE
针脚数
16引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
200MHz
合规
-
MSL
MSL 3 - 168小时
集电极发射电压, Vceo
-40V
集电极直流电流
-200mA
功耗 Pd
1W
直流电流增益, hFE
30hFE
耗散功率NPN
-
直流电流增益hFE最小值NPN
-
晶体管封装类型
SOIC
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000324