打印页面
MUN5111DW1T1G
晶体管 双极预偏置/数字, 双PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MUN5111DW1T1G
库存编号2535583RL
技术数据表
晶体管极性双PNP
数字晶体管极性双路 PNP
集电极发射电压, Vceo-50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极连续电流-100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
晶体管封装类型SOT-363
射频晶体管封装SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散385mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值35hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
双PNP
集电极发射电压, Vceo
-50V
集电极连续电流
-100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SOT-363
引脚数
6引脚
功率耗散
385mW
直流电流增益, Hfe 最小值
35hFE
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
双路 PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MUN5111DW1T1G 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000016