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MUN5311DW1T1G
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP互补, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.823 (CNY0.930) |
| 50+ | CNY0.697 (CNY0.7876) |
| 100+ | CNY0.571 (CNY0.6452) |
| 500+ | CNY0.389 (CNY0.4396) |
| 1500+ | CNY0.382 (CNY0.4317) |
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最低: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MUN5311DW1T1G
库存编号2464148
技术数据表
晶体管极性NPN和PNP互补
数字晶体管极性NPN和PNP执行
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP50V
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R210kohm
晶体管封装类型SOT-363
射频晶体管封装SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散385mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值35hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
MUN5311DW1T1G 是一款双NPN-PNP数字晶体管, 设计用于替代单器件及外部电阻偏置阵列。偏置电阻晶体管 (BRT)包含1个晶体管和偏置阵列, 由2个电阻器, 1个串联基极电阻器, 和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上。
- 简化电路设计
- 减少电路板占用空间
- 减少组件数量
技术规格
晶体管极性
NPN和PNP互补
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
晶体管封装类型
SOT-363
引脚数
6引脚
功率耗散
385mW
直流电流增益, Hfe 最小值
35hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
NPN和PNP执行
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
10kohm
基极-发射极电阻R2
10kohm
射频晶体管封装
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
MUN5311DW1T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536